技術用語集

か行

カンチレバー型プローブカード

ニードルプローブの片側を支点としてプロービングするプローブカードのこと。片持ち梁型とも言う。

カラーフィルタ

液晶ディスプレイにおいて、映像の色を作り出すためのフィルタ。ガラス基板とカラーレジストからなり、最も一般的なものは赤（R）・緑（G）・青（B）で1画素を形成する。R・G・Bのパターンは繰り返し並び、それぞれがブラックマトリクス（BM）で格子状に囲われる。

さ行

垂直型プローブカード

基板に対しプローブが垂直に立てられているプローブカードのこと。エリアアレイ、小パッド、低電圧、低針圧、高周波の測定に適している。

セル工程

アレイ基板やカラーフィルタ基板に液晶分子の向きをそろえる配向処理をして、これらの基板を貼り合わせて液晶を封入する工程。

セル／セルパネル

TFTアレイ基板とカラーフィルタ基板を貼り合わせ、その間に液晶材料を封入したパネル。

た行

チップ/ダイ（chip/die)

半導体の細片。半導体ウェーハをダイシングして一つの半導体デバイスに切り出したもの。

テスト容易化設計（DFT）

大規模な論理回路に対し、故障検出率向上と試験時間短縮のため、IC内にテストをおこなう仕掛けを組み入れる技術。

テスト・パターン

半導体検査では、ICの動作を検証するために入力する一連の電気信号のことで、検査仕様に基づいて生成される。DUTの出力をモニタし、期待値との比較をおこない検査結果を判定する。FPD検査では、ディスプレイの表示品質を検査するための画面表示のこと。赤・緑・青・白・黒やグレー階調などを表示して、点欠陥・線欠陥やムラなどを検出する。

点灯検査

パネルの動作状態を確認するための検査。ディスプレイにテスト・パターンを表示し、点欠陥・線欠陥・ムラ等の有無を検査する。オペレータによる目視検査とCCDカメラを用いた自動パネル検査がある。

は行

半導体

金属のように電流が流れやすい「導体」と、ガラスのように電流がほとんど流れない「絶縁体」との中間の電気伝導性をもつ物質。電圧をかけたり、光を当てたり、熱を加えたりすることで、電気を流したり流さなかったりする性質がある。

バーンイン（burn-in）

半導体の初期不良を温度や電圧により加速し検出する手法。

バンプ（bump）

IC の電極部にメッキ等で形成した突起のこと。半田などで形成し、フリップチップ等における基板接続のために使用する。

ピクセル（pixel)

画素。ディスプレイや撮像素子の機能単位。カラー表示の赤（R）、緑（G）、青（B）で1ピクセルという。

表面実装

ICや電子部品をプリント配線板などの基板表面に装着（実装）する形態または技術。SMT（Surface Mount Technology）ともいう。

歩留まり（Yield）

製品の有効取得数に対する良品数の割合。

フリップチップ （flip chip）

ICチップを高密度で配線板に反転して表面実装するため、ICチップ表面部の電極にバンプと呼ばれる突起電極があるチップ。この突起と配線板の端子とを半田付け又は導電接着剤で接続する。

ファイナルテスト/パッケージテスト

組立て完了したICに対しておこなう電気的試験のこと。

ベアチップ

パッケージに入っていない裸の半導体チップ。ウェーハから切り出したばかりのICチップ。

ペリフェラル（peripheral）

ICパッケージの端子や、ICチップのボンディングパッドや検査パッドが4辺に配置されているもの。

ボンディングパッド（bonding pad）

チップへの電源電圧の供給や外部との信号のやりとりは、通常リード線を介しておこなわれる。このリード線と内部回路の各端子とを接続するため、チップ周辺部に設けた金属電極のことを指す。

ま行

前工程

半導体デバイスの製造工程において、ウェーハ上に個々のデバイスをプロセス設備によって作りこむ工程。ウェーハプロセスともいう。

マイコン（micro computer）

演算処理をおこなうマイクロプロセッサとメモリや外部機器との通信機能を1チップに集積したICのこと。最近では、家電製品などの電子制御用として組み込まれているものを指すことが多い。

ミックスドシグナル（Mixed Signal）

アナログデジタル混在回路。

ムラ

ディスプレイ表示部分の不均一性のこと。輝度の不均一性、色度の不均一性、コントラスト差や面積等の要因に加え、人の目の視覚特性によりムラの認識が左右される。

モジュール工程

セルパネルに駆動用のドライバICや配線、バックライトなどを取り付ける工程。

や行

有機ELディスプレイ

有機発光ダイオードを用いたディスプレイ。ELはElectro-luminescenceつまり、電界発光を指す。有機ELディスプレイは「コントラストが高い」「視野角が広い」「応答時間が短い」などの特長がある。

わ行

ワイヤボンディング

ICチップ表面のボンディングパッドとパッケージのリードを金属線などで電気的に接続すること。

英数字

ASIC（Application Specific Integrated Circuit）

特定用途向けIC。

BGA（Ball Grid Array）

表面実装型パッケージの一つ。プリント配線基板に表面実装できるように、パッケージ本体のベース（底）面に金属ボールまたは金属バンプを一定の間隔で格子状に並べて外部端子としたパッケージ。

BIST（Built In Self Test）

組み込み自己検査。DFT（テスト容易化設計）の一つ。IC内部にテストをおこなう機能を取り込んでいるため、高速・多ピンICの検査を容易にすることができる。

CCD（Charge Coupled Device）

電荷結合素子。シリコン基板表面の酸化膜上に多数の伝送電極が配列されたMOS構造のデバイスで、自己走査機能と記憶機能をもつ。フォトダイオードと組み合わせたエリアセンサ（固体撮像素子）、リニアセンサおよび信号遅延素子などの製品がある。

COF（Chip On Film）

フィルム状の配線板にICチップを実装した、超薄型ICパッケージ。

COG（Chip On Glass）

液晶ディスプレイや光電変換デバイスを搭載したパッケージなど、ガラス基板を主体とした製品において、ガラス基板に直接ICチップを実装したもの。

CSP（Chip Size Package）

表面実装型パッケージの一つ。実装の密度を上げるために、ICチップを実装するパッケージ基板をICチップと同一の大きさにしたもの。

CMOSイメージセンサ（CMOS Image Sensor）

CMOS（相補性MOS）を用いた固体撮像素子。CCDイメージセンサ（撮像素子）と同様に、フォトダイオード（PD）を使用する。製造プロセスと信号の読み出し方法が異なる。単位セルごとに増幅器をもつことで、光変換された電気信号の読み出しによる電気ノイズの発生が抑えられる。

DFT（Design For Testability）

大規模なICに対し、故障検出率向上と試験時間短縮のため、テストをおこなう仕掛けを内部に組み入れる設計手法。

DRAM（Dynamic Random Access memory）

揮発性メモリの一つ。コンピュータの主記憶装置の他、一般的な汎用メモリとして、広範囲に利用されている。

DUT（Device Under Test）

試験対象となるデバイス。

FPD（Flat Panel Display）

フラットパネルディスプレイ。

GaN

ガリウムの窒化物で、青色LED、LASER、パワー半導体などに用いられる。

IC（Integrated circuit）

集積回路の総称。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）

絶縁ゲートバイポーラトランジスタのことで、パワー半導体デバイスで電力制御などに使われる。入力部のMOSFETと出力部のバイポーラトランジスタを組み合わせた構造で、比較的高速なスイッチングと低損失を両立させている。

IGZO（Indium, Gallium, Zinc, Oxide）

インジウム 、ガリウム 、亜鉛 、酸素からなる透明な酸化物半導体のことで、液晶ディスプレイやOLEDディスプレイの基板に使われる。IGZOはLTPSより高移動度で微細化・高精細化が可能、TFTは低チャネルリークで消費電力低減可能。

LCD（Liquid Crystal Display）

液晶ディスプレイ。

LSI（Large Scale Integrated circuit）

大規模集積回路の総称。トランジスタの集積度向上に従って、VLSI、ULSIと呼ばれる。

LTPS（Low Temperature Poly Silicon）

低温ポリシリコン。600℃以下の低温環境で形成される多結晶性シリコンのこと。ガラス基板上に形成できるため高温ポリシリコンに比べて安価に製造できるという特長を持つ。

MCU（microcontroller unit）

1チップ上に中央演算処理装置（CPU）、RAM、ROM、I/Oインタフェース回路などを集積したものでマイクロコンピュータの働きをする。「シングルチップマイクロコンピュータ」あるいは「マイクロコントローラ」ともいう。

MEMS（Micro Electro Mechanical System）

「微小な電気機械システム」 機械要素部品（センサ、アクチュエータ）と電子回路をシリコン基板、ガラス基板、有機材料などに微細加工技術によって集積化したデバイス。

MEMS型プローブカード

プローブ端子にMEMS技術を利用して形成したプローブカード。

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）

電界効果トランジスタ。ゲート電極に印加する電圧により、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタ。

NAND型フラッシュメモリー（NAND type Flash Memory）

外部から電源を供給しなくても内容が消えない不揮発性メモリの一つ。SDカードやUSBメモリ、携帯電話やコンピュータの補助記憶装置として利用されている。

NOR型フラッシュメモリー

外部から電源を供給しなくても内容が消えない不揮発性メモリの一つ。NAND型フラッシュメモリとは異なり、データの読み出しにおいて、RAMと同様にアドレス指定によるアクセスができる。データの信頼性に優れ、NAND型フラッシュメモリで必要なエラー訂正(ECC)が不要であるため、マイコンをはじめ、高い信頼性が求められるルーター、プリンタ、GPS、車載機器などハードディスクが使用できない環境でファームウェアの格納等に使われる。

OLED（Organic Light Emitting Diodes）

有機EL。電極から電子と正孔（ホール）を注入し、有機固体内部で再結合させて、発光させる電流注入型の発光ダイオード。発光体に有機材料を使う。

QFP（Quad Flat Package）

表面実装型パッケージの一つ。パッケージの4側面すべてからリード端子が出ているタイプ。

SBD（Schottky Barrier Diode）

金属と半導体の接合により生じるショットキー障壁を利用したダイオードで、スイッチングスピードが早いという特長を持つ。

SiC

シリコンカーバイド。シリコン（Si）と炭素（C）の化合物で、ハイパワーデバイス等に用いられる半導体材料。オン抵抗が非常に低い高耐圧デバイスを実現。

SoC（System on Chip） / システムLSI

システムのほとんどの機能を1チップ上で実現した大規模なIC。複数のICを組み合わせて構成していた機能を1チップに集約したもの。小型で高性能な機器を実現できる。主に、プロセッサとメモリ、入出力回路などから構成される。

SRAM（Static Random Access Memory）

DRAM とは異なり、定期的なリフレッシュ（記憶保持動作）が不要なため「スタティック」と呼ばれる。短時間のデータ保持が可能だが、電力の供給がなくなると記憶内容が失われる。読み・書きのスピードが早く CPU のキャッシュなどに使用される。

TEG（Test Element Group）

IC開発またはIC量産にけるプロセスおよびデバイスの評価や管理をおこなうために、膜・配線、素子、小規模回路などのテストパターンを集めたもの。プロセスTEG、デバイスTEG、回路TEG、パッケージ用TEGなどがある。

TFT（Thin Film Transistor）

薄膜トランジスタ。電界効果トランジスタの1種で、フラットパネルディスプレイの画素回路などに用いられる。

TFTアレイ

液晶・OLEDは画素がマトリクス状に配列されており、その画素一つ一つを駆動するためのTFTが画素と同様にマトリクス状に配列される。通常これらTFTは基板上に形成され、これがTFTアレイと呼ばれる。各画素回路はTFTと表示画素電極などからなり、TFTを駆動するためのゲート配線と、画素に書き込む電圧を 送る信号配線などが縦横に走っている。

WLCSP（Wafer Level Chip Size Package）

ウェーハを切り出す前に配線、保護膜、端子の形成などをおこない、それからウェーハを切り出すという方法で形成されたCSP。